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本论文以相控阵天线移相器应用为背景，选择BaxSr1-xTiO3（BST）为材料体系，利用溶胶-凝胶法（Sol-gel法）制备Ba0.6Sr0.4TiO3 薄膜。首先，利用大气开放式金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法在Si(100)基片上沉积了氧化镁缓冲层。通过大量实验，确定了氧化镁缓冲层的最佳的沉积工艺为：当基片温度为480℃，沉积时间为30分钟时，在Si(100)基片上可以制得表面光滑均匀，沿（200）方向外延生长的氧化镁薄膜。然后，在MgO/Si(100)基片上制备了表面光滑、均匀、无裂纹，且具有（100）择优取向的BST薄膜。考察了添加剂的用量、氧化镁缓冲层的使用以及热处理工艺等因素对BST薄膜的影响，深入探讨了这些因素的影响机制。 研究结果表明,在溶胶配置过程中添加剂的加入，对薄膜的后续的热处理工艺及表面形貌有较大影响。干燥化学控制剂可以缓解薄膜热处理过程中产生的应力，从而减少了薄膜表面的龟裂。对螯合剂乙酰丙酮和乙酸调制的溶胶进行傅立叶红外光谱和差热分析，发现乙酰丙酮调制的BST溶胶的晶化温度较乙酸提前约60℃，且由乙酰丙酮调制的干凝胶在高温区发生互变异构体的转变，导致BST晶化更趋完好。将BST薄膜直接引入管式炉中在600热解5min，然后在850℃以上退火2h，制得的BST薄膜借助X射线衍射（XRD），发现其具有良好的择优取向性，取向度在950℃时达到了19.18。另外，通过XRD图谱与卢瑟福背散射（RBS）谱分析，发现氧化镁缓冲层的使用不仅有利于择优取向BST薄膜的生长，而且也起到了阻挡Si扩散的作用。以上研究表明，采用氧化镁作为缓冲层，可以获得具有择优取向的BST薄膜，为移相器的应用奠定了良好的研究基础。